황철성 교수는 지금까지 공정 및 소자분야에서 527편의 논문을 발표했으며, 그 중 2010년도에 ‘Nat. Nanotech’에 출판한 논문은 피인용 횟수가 1,400여 회를 넘는 우수한 논문이다. 그는 논문에서 금속 산화막을 이용한 저항변화 메모리의 근본 동적기구 규명 등 저항변화 메모리 분야의 연구를 통해 한국 반도체 발전에 기여한 공로를 인정받아 본 상을 수상했다.

강대원상은 반도체의 기초가 되는 모스펫(MOSFET)과 낸드플래시 데이터 저장 공간인 플로팅게이트(Floating Gate)를 최초로 개발한 고(故) 강대원 박사(1931~1992)의 업적을 재조명하기 위해 제정된 상이다.

강대원상의 두 번째 수상자인 황 교수는 2015년 반도체 공동 연구소장으로 재임 당시 연구소 건물 입구에 강대원 박사 흉상을 세운 바 있다. 그는 이번 수상으로 받은 상금을 반도체 연구소에 전액 기부하기로 했다.

 

황 교수는 “1회 수상자인 서울대 전기정보공학부 박병국 교수님의 뒤를 잇게 돼 매우 영광”이라며, “업적을 이룰 수 있는 장이 되어준 반도체 연구소에 고마움을 표한다”고 말했다.