삼성전자는 이날 지난해 4월 발표한 '반도체 비전 2030' 관련 후속 조치의 일환으로 파운드리 시설을 구축한다고 밝혔다. 시설 구축은 이달 라인 공사에 착수해, 내년 하반기부터 본격 가동할 계획이다.
김선우 메리츠증권 연구원은 "평택에 처음으로 구성되는 최신 파운드리 라인은 향후 5mm 이하 선단공정 비메모리 수주를 위한 중장기 투자계획 가운데 일부일 것"이라고 설명했다.
이어 "이번 투자로 삼성전자의 생산능력 증가가 억제되며, 글로벌 NAN 수급에 긍정적일 것"이라며 "내년부터 EUV 물량도 가파른 속도로 증가할 것"이라고 내다봤다.
기존 평택 P2는 하층부(NAND)와 상층부(DRAM)으로 할당돼 있었다. 이번 발표를 통해 하층부 NAND용 공간의 절반가량 이 파운드리 생산시설로 전환될 것이라는 분석이다.
결국, 삼성전자의 향후 NAND capa 확보 여력은 시안 X2라인 잔여공간과, P2 일부로 각각 40k 내외 수준에 머무르며 공격적 생산증가 가능성이 극히 낮아졌다.
메리츠증권 추정에 따르면 올해 삼성전자의 NAND 출하량 증가율은 시장 수요성장율 30% 중반을 하회하는 28% 수준에 그치며 코로나19 관련 수요충격에도 불구 하고 예상대비 견조한 업황이 전개되고 있다.
삼성전자는 내년에도 Wafer capa 확대를 통한 물량증가 여력이 감소하며, 향후 +128단 적층 전환을 통한 제한 적 물량증가 및 원가절감 정책을 펼치리라 예상된다.
이를 통해 내년에도 선두업체의 제한적 물량증가를 바탕으로 NAND 산업은 양호한 수급 전개가 이어질 전망이다.
이와 함께, 삼성전자는 내년부터 EUV 물량도 가파른 속도로 증가할 것으로 예상된다.
메리츠증권에 따르면 삼성전자는 현재 EUV capa로 S3, S4, V1 팹에 총 50k 가량을 가동하고 있다.
올해 기존 라인들에 일부 증설이 더 해지고 내년부터 P2의 EUV 물량 25k 가량이 추가될 경우 삼성전자의 총 EUV capa는 100k 수준으로 현 수준 대비 2배가량 증가할 전망이다.
특히, P2 EUV 생산능력의 경우 부속 EUV팹과 연계된 최첨단 독립 시설로 파악되며, 부속EUV팹에 추가 증설 여력이 충분한 만큼 내년 하반기부터 Foundry 물량 외에도 D1a(1anm) DRAM에도 일부 노광 공정기여가 예상된다.
김 연구원은 "삼성전자 LSI 사업부 관점에서는 TSMC 대비 선단공정의 경쟁력을 빠르게 회복하는 계기로 작용할 것"이라며 "내년 파운드리 Capa 확충을 바탕으로 6nm 이하급 수주 활동 이 비약적으로 개선될 것"이라고 판단했다.
김 연구원은 "삼성전자 LSI 사업부 관점에서는 TSMC 대비 선단공정의 경쟁력을 빠르게 회복하는 계기로 작용할 것"이라며 "내년 파운드리 Capa 확충을 바탕으로 6nm 이하급 수주 활동 이 비약적으로 개선될 것"이라고 판단했다.
이어 그는 "만약 향후 미국 Texas Austin 향 EUV 투자가 뒤따를 경우 이는 개발 및 제품 적시성이 중요한 고객 확보에도 긍정적일 전망"이라고 덧붙였다.
[비즈트리뷴=이기정 기자]
저작권자 © 비즈트리뷴 무단전재 및 재배포 금지
